场效应管IRF3205中文资料介绍
IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3205是一个高电流N沟道MOSFET能够切换电流高达110A和55V。MOSFET的特长在于它的导通电阻非常低，仅为8.0mΩ，使其适用于诸如逆变器，电机速度控制，DC-DC转换器等开关电路。它还是一种易于获得且价格低廉的MOSFET。
TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。
IRF3205规格参数
产品型号
IRF3205
制造商
International Rectifier
制造商包装说明
TO-220AB，3针
符合REACH
是
雪崩能量等级(Eas)
264.0兆焦耳
组态
单头内置二极管
最大漏极电流(Abs)(ID)
98.0安
最大漏极电流(ID)
75.0安
最大电阻下的漏源
0.008欧姆
DS击穿电压-最小值
55.0伏
场效应管技术
金属氧化物半导体
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
00
元素数
1.0
端子数
3
操作模式
增强模式
最高工作温度
175℃
包装主体材料
塑料/环氧树脂
包装形状
长方形
包装形式
法兰安装
峰值回流温度(℃)
225
极性/通道类型
N通道
功耗环境最大值
150.0瓦
最大功率耗散(Abs)
150.0瓦
脉冲漏极电流最大值(IDM)
390.0安
子类别
FET通用电源
终端完成
锡/铅(Sn / Pb)
终端表格
贯穿孔
终端位置
单
时间@峰值回流温度-最大值(秒)
30
晶体管应用
交换
晶体管元件材料
硅
IRF3205特点
· N沟道功率MOSFET
· 当VGS为10V时，连续漏极电流(ID)为110A
· 最小栅极阈值电压2V
· 漏极至源极击穿电压：55V
· 导通电阻低至8.0mΩ
· 栅极-源极电压(VGS)为±20V
· 上升时间为101ns
· 通常用于电源开关电路
· 采用To-220封装
IRF3205应用领域
· 切换应用
· 升压转换器
· 斩波器
· 太阳能逆变器
· 速度控制
IRF3205引脚图
IRF3205封装
IRF3205替代型号
IRF3205替代型号有：IRF1405，IRF1407，IRF3305，IRFZ44N，IRFB3077，IRFB4110等
IRF3205应用电路图
irf3205大功率方波逆变器电路图
本逆变器是高频逆变器，彻底摒弃了笨重的工频变压器，不仅减小了体积，而且提高了效率，还没有工频变压器发出的嗡嗡声。本逆变器是典型的高频逆变工频输出结构：DC-AC-DC-AC结构（12VDC-330VAC0 30KHz-330VDC-230VAC 50HZ）。本逆变器设有稳压和输出过流保护功能。
irf3205 MOSFET驱动电路图
驱动电路就是一个电阻R17和一个三极管Q4，当MCU_IO是高电平1的时候，三极管导通，MOSFET的门极电压降低到低电平，此时MOSFET关闭，当MCU_IO是低电平的时候，三极管Q4关闭，此时MOSFET导通。
irf3205 MOSFET驱动电路图
下图三角形的是运放，我们可以看得出，这个运放现在是充当一个比较器，这个比较器的反向端我给他一个1V的恒定电平（当然，0.5V/1.5V都行），MCU_IO（接单片机的控制端口）如果输出高电平（电压肯定高于1V），比较器的输出结果就接近于VCC。这里需要注意，这个比较器输出的电压到底是多少？此时比较器输出的所谓高电平，其实是比较器的供电电压VCC，你给这个比较器供电电压时多少，此时就输出多少（略小于VCC），比如，这里我们给比较器的供电电压是12V（这也是MOSFET的最佳操作电压），此时比较器输出12V，这个12V就加在MOSFET的门极上，MOSFET就会导通，负载就会通电。这个比较器你可以使用任何运算放大器芯片来搭建，比如LM358/LM324等等。